Elektronika i elektrotechnikaanalogowa 6.docx

Elektronika i elektrotechnika

Elektronika:

·         Półprzewodniki

Podział: izolatory, dielektryki, przewodniki

Naprzykład miedz doskonały przewodnik na rezystywnośc 10-8 (om) *m mika bardzo dobry izolator ma rezystywność 1014 *m czysty krzem najpowszechniej stosowany materiał połprzwodnikowy ma rezystywnośc 2*103(om)*

Podstawowe właściwości różniące w sposób jakościowy półprzewodniki (dielektryki) od przewodnikow SA następujące:

1.własciwosci elektryczne półprzewodników przede wszystkim ich rezyhstywnośc silnie zależa od znikomo małych ilości zanieczyszczen materialu (zanieczyszczenie wprowadza się celowo nazywa się domieszkami a wprowadzenie tych zanieczyszczeń:tj domieszkowanie.

MATERIAŁY POŁPRZEWODNIKOWE

Metali dielekt. Konduktywnośc (1\fi)

Wiązania miedzy cząsteczkowe.

Rys.1

Model pasma walencyjnego.

Rys.2

Szerokośc pasm  niektórych półprzewodników samoistnych.

Model przewodnika domieszkowego:

Rys 3

W zalezności id rodzaju wprowadzonych domieszek uzyskuje się p/p domieszkowe typu n lub typu p

Typ n nośnikami SA elektrony domieszki donory

Typ p nośnikami ładunku dziury domieszki akceptory

Jonizacja rekombinacja

Ruch dziur –pozorny (prąd dziurowy)

Konduktywnośc- przewodnośc

J=enuE=(Jet)E dla metali

J= gęstość prądu

N- koncet.nośnika ładunku

u-ruchliwośc.

(jet)- kondukt.

N=T3/2e- ^w/ZkT

^w- szerokość pasma zabr.

Rys.4

Zjawisko fotoelektryczne

Gdy energia fotonow promieniowania świetlnego jest > niż szerokośc pasma zabronionego nastepuje przechodzenie elektromow……………………….……………………………………

Złacza p-n

Dyfuzja:Nośniki ładunków elekt. Mogą poruszac się nie tylko w polu elektr.E i a dzieki dyfuzji.Gęstość prądu dyfuzyjnego jest proporcjonalna do gradientu koncentracji nosników oraz do współczynników dyfuzji.

Jn= Edn  dn/dx ;  jp=-eDp  dp/dx,  A/m2

Kompensacja – zmiena rodzaj przewodnictwa przez dodawanie domieszek innego typu jest to podstawowa metoda wytwarzania złacz p-n

Rys 5

Dyfuzja w kryształach.

Ww materiałachl